進(jìn)入90年代后期以來，CCD的單位面積也越來越小，1989年開發(fā)的微小鏡片技術(shù)，已經(jīng)無法再提升感亮度，如果將CCD組件內(nèi)部放大器的放大倍率提升，將會使雜訊也被提高，畫質(zhì)會受到明顯的影響。索尼在CCD技術(shù)的研發(fā)上又更進(jìn)一步，將以前使用微小鏡片的技術(shù)改良，提升光利用率，開發(fā)將鏡片的形狀優(yōu)化技術(shù)，即索尼SUPERHAD?CCD技術(shù)?；旧鲜且蕴嵘饫眯蕘硖嵘辛炼鹊脑O(shè)計(jì)，這也為日前的CCD基本技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。線陣CCD有單溝道和雙溝道之分，其光敏區(qū)是MOS電容或光敏二極管結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)工藝相對較簡單。它由光敏區(qū)陣列與移位寄存器掃描電路組成，特點(diǎn)是處理信息速度快，電路簡單，易實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)控制，但獲取信息量小，不能處理復(fù)雜的圖像（線陣CCD如右圖所示）。面陣CCD的結(jié)構(gòu)要復(fù)雜得多，它由很多光敏區(qū)排列成一個(gè)方陣，并以一定的形式連接成一個(gè)器件，獲取信息量大，能處理復(fù)雜的圖像。光電荷的轉(zhuǎn)移途徑有CCD表面溝道（SCCD)和體溝道（BCCD,也稱為埋溝道CCD)兩種方式。表面溝道CCD的電荷轉(zhuǎn)移途徑距離半導(dǎo)體-絕緣體分界面較近，工藝簡單，動(dòng)態(tài)范圍大，但信號電荷的轉(zhuǎn)移受表面態(tài)的影響，轉(zhuǎn)移速度和轉(zhuǎn)移效率低，工作頻率一般在10MHz以下。為了消除這種現(xiàn)象，以提高CCD的工作速度，用離子注入方法轉(zhuǎn)移溝道的結(jié)構(gòu)，從而使勢能極小值脫離界面而進(jìn)入襯底內(nèi)部，形成體內(nèi)的轉(zhuǎn)移溝道，避免了表面態(tài)的影響，這就是體溝道CCD.體溝道CCD的轉(zhuǎn)移效率大大提高，工作頻率可高達(dá)100MHz，且能做成大規(guī)模器件。CCD的光譜靈敏度取決于量子效率、波長、積分時(shí)間等參數(shù)。量子效率表征CCD芯片對不同波長光信號的光電轉(zhuǎn)換本領(lǐng)。不同工藝制成的CCD芯片，其量子效率不同。靈敏度還與光照方式有關(guān)，背照CCD的量子效率高，光譜響應(yīng)曲線無起伏，正照CCD由于反射和吸收損失，光譜響應(yīng)曲線上存在若干個(gè)峰和谷。CCD暗電流是內(nèi)部熱激勵(lì)載流子造成的。CCD在低幀頻工作時(shí)，可以幾秒或幾千秒的累積（曝光）時(shí)間來采集低亮度圖像，如果曝光時(shí)間較長，暗電流會在光電子形成之前將勢阱填滿熱電子。由于晶格點(diǎn)陣的缺陷，不同像素的暗電流可能差別很大。在曝光時(shí)間較長的圖像上，會產(chǎn)生一個(gè)星空狀的固定噪聲圖案。這種效應(yīng)是因?yàn)樯贁?shù)像素具有反常的較大暗電流，一般可在記錄后從圖像中減去，除非暗電流已使勢阱中的電子達(dá)到飽和。昆明康霸器械維修服務(wù)有限公司承擔(dān)著全國上百家大中型放射設(shè)備：數(shù)字?jǐn)z片機(jī)DR、普通拍片機(jī)、普通胃腸、數(shù)字胃腸機(jī)（DSI）、血管造影機(jī)大C型臂、中型C臂、小C臂、乳腺機(jī)、機(jī)等多種機(jī)的維修業(yè)務(wù)。人員的技術(shù)與素質(zhì)的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，從而使客戶以優(yōu)惠的價(jià)格得到的服務(wù)，更加全面的服務(wù)于各大機(jī)構(gòu)。

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